第6回 RC287「 新時代の電子デバイスと電子機器における信頼性設計評価と熱設計に関する研究分科会 」
実験・計測WG 開催案内

  RC278 実験・計測WG 主査  池田 徹

日時:7月12日(月)10:00〜12:00
Cisco Web ex によるネット配信.

プログラム

1. 単結晶/多結晶SiC基板界面における微小はく離の進展可能性の評価(10:00〜11:00)
 池田 徹 (鹿児島大学)

 多結晶SiCに単結晶SiCを常温接合で接合した後に,加熱しながら剥がして,多結晶SiC上に 残った単結晶SiC薄膜をエピタキシャル成長させ,10μmの厚さの単結晶層を作ることで, 縦型の安価なSiCデバイス用基板を作る製造法の開発が行われている.この際に多結晶SiCと 単結晶SiCの界面に残留する,直径数十μm程度の残留剥離が,デバイスの動作中や製造時の アニール中に進展しないことを破壊力学によって,予測した例を紹介する. 

2. X線画像を用いたサンプリングモアレ法による樹脂封止型電子パッケージのひずみ計測 (11:00〜12:00)
小金丸 正明 (鹿児島大学) 内野 正和 (福岡県工業技術センター機械電子研究所)

 X線透視画像にサンプリングモアレ法を適用することにより, 樹脂封止型電子パッケージに実装されたSiチップ上の ひずみを計測する手法を紹介する。

【参加申込】
会員企業の皆様で,メーリングリストに登録されていない方の参加をご希望の場合は,
下記の参加申込メールを お送りください.招待メールを送らせていただきます。
また,本会に興味をお持ちの企業様の大変参加も受け付けております(1回のみ)。
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・ご所属
・ご芳名
・連絡先(メールアドレス)
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をRC287主査・池田(ikeda@mech.kagoshima-u.ac.jp)と
幹事・小金丸(koganemaru@mech.kagoshima-u.ac.jp)までご連絡ください。