第6回 RC278「産業変革期の電子実装技術における信頼性設計と熱制御に関する研究分科会」
開催案内

       RC278研究分科会主査  池田 徹

日時: 平成30年10月12日(金)13時30分~16時30分 
場所: 中央大学駿河台記念館 320教室 (東京都千代田区神田駿河台3-11-5)
      http://www.chuo-u.ac.jp/access/surugadai/
      ※開催場所が通常と異なります.ご注意ください.

プログラム: 

1) 「4H-SiC-PiNダイオードにおける積層欠陥拡張と応力依存性に関する検討」
    株式会社東芝  牛流 章弘 (13時30分~14時30分)

   SiCバイポーラデバイスは順方向通電させることでShockley 型積層欠陥(SSF)が生じる.
  一般に,SSFの発生はホールと電子の再結合エネルギーによるモデルが提案されているが,
  分解せん断応力がSSFの発生にどの程度影響を及ぼすかは未知の部分が多い.
  そこで本研究では,SiC-PiN ダイオードを用いて,圧縮・引張応力を加えた場合における
  帯状SSFの発生電流閾値について評価を行った.
  さらに,SSF生成・拡張の動力学現象について,ホールと電子濃度分布をデバイスシミュレータで計算した上で,
  積層欠陥有無による自由エネルギー変化の観点から考察した.
    
2) 「非接触式応力誘起光散乱法を利用したマイクロクラック検出技術の開発」
    産業技術総合研究所 坂田 義太朗 (14時30分~15時30分)

  我々は,ガラス基板などに存在するマイクロクラックを検出するために,
  温度変化を利用した非接触式応力誘起光散乱法を開発した.
  本発表では,提案手法の検査技術としての有用性について評価した結果について報告する.

3) 「高発熱密度電子機器の冷却;沸騰冷却のはなし」
    東京理科大学 鈴木康一  (15時30分~16時30分)

【参加申込】 
参加をご希望の方は, 
・ご所属 
・ご芳名 
・連絡先(メールアドレス) 
・懇親会 参加・不参加(どちらかご連絡ください)

をRC278幹事・小金丸(koganemaru(at)mech.kagoshima-u.ac.jp (at)を@に変えてください)までご連絡ください. 
まだ研究会の参加申し込みをされていない企業様,参加を検討中の企業様も見学して頂けます. 
皆様のご参加をお待ちしております.