日時：6月24日（火）13：30〜16：30
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プログラム
１. マイクロプロセッサの高発熱化に対応するための伝熱経路把握に関する研究 （13：30〜14：30）
西 剛伺 （足利大学）
近年では、チップレット技術の適用により、マイクロプロセッサの高性能化とともに、高発熱化が進展している。高発熱化に対応するには、伝熱経路全体の低熱抵抗化が必要となるが、その実現には、伝熱経路上のボトルネックの把握や高熱伝導材を使用した際の効果の定量的な把握が重要になる。本講演では、上記を実現するための取り組みについて報告する。
２. 225℃動作 SiCモジュールのパワーサイクル長寿命化技術 （14：30〜15：30）
加藤 史樹 （産業技術総合研究所）
近年ますます市場が拡大しているSiCパワー半導体は、Siパワー半導体に比べて最大ジャンクション温度が高くできるため、パワーモジュールのさらなる高出力電流密度化が期待できる。最大ジャンクション温度225℃のパワーサイクル試験において、SiCパワーモジュールの長寿命化に資する技術を開発したので紹介する。
３. 複雑な負荷を受けるマイクロ構造物の損傷評価に関する研究計画案 （15：30〜16：30）
澁谷 忠弘 （横浜国立大学）
本研究では、Gurson–Tvergaard–Needleman(GTN)モデル等に代表される損傷力学モデルを採用して、HALT等のランダム振動や複合負荷を受ける場合の損傷評価への適用可能性を検討する。 GTNモデルは、ボイドの発生、成長、合体を構成則に取り入れることで延性破壊を評価するモデルであり、これまでに様々な産業分野でその有効性が検討されてきた。 本研究では、ボイド形成型延性破壊モデルをマイクロ構造物に適用する際の課題などについて整理するとともに、 電子実装材料への適用を検討する。
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